Technologie der Zukunft
Die einzigartige und innovative Architektur der Flash-Speicher 3D V-NAND ist ein Durchbruch, der die Leistungs- und Ausdauer-Einschränkungen der heutigen konventionellen NAND-Architektur überwindet. Die Speicherzellen sind in bis zu 32 Schichten gestapelt und somit ist die Dichte der Speicherzellen deutlich erhöht, was unter anderem mehr Speicherplatz bei geringeren Kosten bedeutet.
Erreichen Sie das Maximum
Erzielen Sie mit der Technologie TurboWrite die maximale Leistung bei Lese- und Schreib-Geschwindigkeiten und erhöhen somit die Leistung Ihres Computers auf das Maximum. Die 850 EVO bietet mit einer Lesegeschwindigkeit von bis zu 540MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520MB/s eine Spitzen-Leistung in der Preisklasse.
Schalten Sie auf höhere Geschwindigkeitsstufen um
Nutzen Sie die neueste Software Samsung Magican und aktivieren den RAPID-Modus, der den vom Computer ungenutzten Speicher (DRAM) als Speichercache verwendet.
Ausdauer und Zuverlässigkeit unterstützt von der Technologie 3D-V-NAND
Die Disk schafft es im Vergleich zu der vorherigen Generation die Gesamtzahl der beschriebenen Bytes zu verdoppeln (Total Bytes Written - TBW), und gerade das verleiht der Disk eine garantierte Beständigkeit, die zusätzlich durch eine fünfjährige Garantie unterstützt wird.
